Добавлено
09-окт-2024, 00:00
От
Феодосья
В РТУ МИРЭА придумали, как подбирать лучшие материалы для наноэлектроники будущего Учёные РТУ МИРЭА работают над новым методом исследования наноструктур, используя магниторефрактивный эффект (МРЭ). Этот подход поможет контролировать различные наноматериалы с магнитосопротивлением, что особенно актуально для наноэлектроники. В этой области разрабатываются интегральные схемы с элементами размером менее 100 нанометров, что делает исследования крайне важными. Магнитосопротивление — это способность материалов изменять своё электрическое сопротивление под действием магнитного поля. Уменьшая размеры таких материалов, можно повысить плотность хранения информации и скорость её считывания. Учёные утверждают, что эффект магнитосопротивления может достигать сотен процентов, что значительно способствует миниатюризации электроники. Использование магниторефрактивного эффекта в этом контексте позволяет бесконтактно измерять магнитосопротивление, что особенно ценно для наноструктур, размеры которых делают традиционные измерения сложными. Исследования сосредоточены на ферромагнитных нанокомпозитах, которые содержат разные материалы с уникальными магнитными свойствами. Профессор Алексей Юрасов из РТУ МИРЭА отметил, что полученные результаты подтвердили изменения в МРЭ на отражение и пропускание света при намагничивании образцов. Эта информация помогает оценивать магнитосопротивление и выбирать подходящие материалы, что может привести к созданию более компактных и эффективных электронных устройств.
В РТУ МИРЭА придумали, как подбирать лучшие материалы для наноэлектроники будущего Учёные РТУ МИРЭА работают над новым методом исследования наноструктур, используя магниторефрактивный эффект (МРЭ). Этот подход поможет контролировать различные наноматериалы с магнитосопротивлением, что особенно актуально для наноэлектроники. В этой области разрабатываются интегральные схемы с элементами размером менее 100 нанометров, что делает исследования крайне важными. Магнитосопротивление — это способность материалов изменять своё электрическое сопротивление под действием магнитного поля. Уменьшая размеры таких материалов, можно повысить плотность хранения информации и скорость её считывания. Учёные утверждают, что эффект магнитосопротивления может достигать сотен процентов, что значительно способствует миниатюризации электроники. Использование магниторефрактивного эффекта в этом контексте позволяет бесконтактно измерять магнитосопротивление, что особенно ценно для наноструктур, размеры которых делают традиционные измерения сложными. Исследования сосредоточены на ферромагнитных нанокомпозитах, которые содержат разные материалы с уникальными магнитными свойствами. Профессор Алексей Юрасов из РТУ МИРЭА отметил, что полученные результаты подтвердили изменения в МРЭ на отражение и пропускание света при намагничивании образцов. Эта информация помогает оценивать магнитосопротивление и выбирать подходящие материалы, что может привести к созданию более компактных и эффективных электронных устройств.
0
Поделиться новостью
Комментарии